RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 1, страницы 171–174 (Mi qe5873)

Краткие сообщения

Роль многофотонных процессов в четырехфотонном рассеянии при интенсивной бихроматической накачке

С. К. Потапов, В. Л. Дербов, А. Ф. Букатин

Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Теоретически исследуется воздействие интенсивной дихроматической накачки на систему колебательно-вращательных уровней молекулы. В приближении эффективного гамильтониана задача сводится к решению кинетических уравнений для матрицы плотности с периодическим внешним возмущением, решаемых переходом к базису квазиэнергетических состояний. Для изолированного колебательного резонанса получен и исследован контур комбинационной восприимчивости. Показано, что по зависимости разности населенностей от интенсивностей накачки и рассеянного излучения можно определить изменение поляризуемости при возбуждении.

УДК: 535.621.375

PACS: 33.80.Wz, 33.80.Be, 33.20.Vq, 33.15.Kr, 42.65.An

Поступила в редакцию: 28.03.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:1, 105–107

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024