RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 1, страницы 67–70 (Mi qe590)

Эта публикация цитируется в 19 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Лазерно-стимулированное травление сапфира излучением лазера на парах меди

С. И. Долгаев, A. A. Лялин, А. В. Симакин, Г. А. Шафеев

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Экспериментально исследовано лазерно-стимулированное травление сапфира излучением лазера на парах меди (λ = 510 нм, длительность импульса 10 нс, частота следования 8 кГц). Травление сапфира происходит при облучении сфокусированным лазерным лучом поверхности раздела сапфир – поглощающая жидкость. Обнаружена автомодуляция глубины каналов при травлении сканирующим лазерным лучом. Исследована динамика формирования каналов травления и причины автомодуляции. Скорость травления сапфира достигает 2 мм/с (0.3 мкм/имп.), пространственное разрешение предложенного метода травления около 3 мкм. Обнаружено, что на протравленной поверхности сапфира восстанавливается Cu из раствора для химического меднения, образуя медное покрытие, имеющее хорошую адгезию к поверхности сапфира (18 Н/мм2).

PACS: 81.60.Cp, 42.62.Cf

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:1, 65–68

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024