aФизический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва bИнститут физики АН СССР, Киев
Аннотация:
Реализован эффективный, плавно перестраиваемый лазер на $F_2^+$-центрах окраски в кристаллах LiF с голографическим селектором полного внутреннего отражения, работающий при комнатной температуре с высокой частотой повторения импульсов излучения. Область перестройки составляет 0,85–1 мкм при ширине линии генерации менее 0,06 нм и КПД по поглощенной в кристалле энергии около 10%.