RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 2, страницы 433–435 (Mi qe5913)

Краткие сообщения

Релаксационные процессы в структуре брегговского модулятора на ниобате лития

А. М. Белин, К. К. Свидзинский


Аннотация: Исследованы эффекты диэлектрической релаксации в структуре управляемого интегрально-оптического брегговского модулятора, приводящие к появлению низкочастотной границы полосы пропускания. Стационарная релаксация, обусловленная в основном ионной проводимостью сильно легированного титаном приповерхностного волноводного слоя, характеризуется временем τ ~10–1 – 10–2 с. Нестационарные релаксационные явления могут приводить к большим вариациям времени релаксации в пределах 103 – 10–4 с. Обсуждаются возможные механизмы нестационарной релаксации.

УДК: 621.382.82.082.5

PACS: 42.80.Ks

Поступила в редакцию: 16.09.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:2, 266–268

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024