Аннотация:
Исследовано скоростное распределение капель и атомной составляющей плазменного факела, возникающего при лазерной абляции полупроводниковых мишеней из InAs и GaAs. Показано, что скорость атомов по крайней мере в 6 раз выше скорости капель. Предложен механический фильтр скоростей для удаления капель из плазменного факела. Показано, что при использовании составной мишени возможно получение эпитаксиальных пленок InxGa1–xAs различного состава.