RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 1, страницы 73–75 (Mi qe592)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Импульсное лазерное напыление тонких пленок InxGa1–xAs

В. Н. Буримов, А. Н. Жерихин, В. Л. Попков

Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам РАН, г. Троицк

Аннотация: Исследовано скоростное распределение капель и атомной составляющей плазменного факела, возникающего при лазерной абляции полупроводниковых мишеней из InAs и GaAs. Показано, что скорость атомов по крайней мере в 6 раз выше скорости капель. Предложен механический фильтр скоростей для удаления капель из плазменного факела. Показано, что при использовании составной мишени возможно получение эпитаксиальных пленок InxGa1–xAs различного состава.

PACS: 68.55.Bd, 68.55.Nq, 42.62.Cf

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:1, 71–73

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024