Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Получена непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на основе зарощенных мезаполосковых гетероструктур GalnPAs/InP в диапазоне длин волн 1,5–1,6 мкм. Использовались подложки из p-InP, материалом для эмиттерных слоев и для заращивания служил четверной твердый раствор промежуточного состава. Минимальный пороговый ток генерации составил 23 мА.