RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 9, страницы 1856–1858 (Mi qe5994)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Об инверсии литиеподобных ионов относительно состояния 2p в рекомбинирующей плазме

Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, С. И. Яковленко

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрены требования к интенсивности накачивающего жесткого излучения, возникающие при попытках сформировать инверсную населенность относительно состояния 2p многозарядного литиеподобного иона. Показано, что эти требования очень жесткие.

УДК: 533.9

PACS: 32.80.Bx

Поступила в редакцию: 15.03.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:9, 1199–1201

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024