RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 9, страницы 1876–1878 (Mi qe6003)

Краткие сообщения

Перестроечные характеристики многоступенчатого процесса ВКР на поляритонах в слое кристалла LiJO3

A. H. Щелоков


Аннотация: Показана возможность использования многоступенчатых процессов для повышения эффективности преобразования света при вынужденном рассеянии на поляритонах в слое нелинейного кристалла. Приведены перестроечные характеристики рассеяния на нижней поляритонной ветви кристалла йодата лития вплоть до десяти ступеней преобразования излучения накачки с длиной волны 1,064 мкм.

УДК: 621.378.3.525:535.18

PACS: 71.36.+c, 42.65.Cq

Поступила в редакцию: 07.12.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:9, 1216–1217

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024