Л. А. Журавлев, П. И. Кузнецов, А. С. Насибов, А. Н. Печенов, С. Д. Скорбун, В. В. Шемет, “Использование эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных из элементоорганических соединений, для лазеров с электронной накачкой”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1887

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Использование эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных из элементоорганических соединений, для лазеров с электронной накачкой

Л. А. Журавлев, П. И. Кузнецов, А. С. Насибов, А. Н. Печенов, С. Д. Скорбун, В. В. Шемет

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрена перспективность применения эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных из элементоорганических соединений, для изготовления полупроводниковых лазеров, возбуждаемых электронным пучком. Впервые получена генерация при продольном возбуждении электронным пучком на таких мишенях.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 79.20.Kz, 68.55.+b

Поступила в редакцию: 04.01.1982