RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 9, страницы 1912–1915 (Mi qe6020)

Краткие сообщения

Влияние параметров оптической обработки и процесса естественного старения на глубину нарушенного слоя и лучевую прочность поверхности монокристаллов КСl

С. В. Билибин, В. Н. Егоров, А. А. Кацнельсон, В. И. Ковалев, Н. С. Колесова, Ю. С. Сидоров, Н. Л. Ткаченко, Ф. С. Файзуллов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследовано влияние размеров зерна абразива и типа смачивающе-охлаждающей жидкости на стадии шлифовки, отжига и процесса естественного старения полированной поверхности монокристаллов КСl на глубину нарушенного слоя и поверхностную лучевую прочность. Показано, что применение методов оптической обработки, обеспечивающих минимальную глубину нарушенного слоя (например, отжиг), позволяет значительно повысить лучевую прочность по сравнению с традиционными методами обработки как свежеполированных, так и состаренных поверхностей.

УДК: 621.378.32

PACS: 81.60.-j, 81.40.Ef, 81.40.Tv

Поступила в редакцию: 23.08.1981
Исправленный вариант: 30.11.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:9, 1245–1247

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024