В. К. Батоврин, И. А. Гармаш, В. М. Геликонов, Г. В. Геликонов, А. В. Любарский, А. Г. Плявенек, С. А. Сафин, А. Т. Семенов, В. Р. Шидловский, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Cуперлюминесцентные диоды на основе однослойных квантоворазмерных (GaAl)As-гетероструктур”, Квантовая электроника, 23:2 (1996), 113

Эта публикация цитируется в 16 статьях

Лазеры

Cуперлюминесцентные диоды на основе однослойных квантоворазмерных (GaAl)As-гетероструктур

В. К. Батоврин^ab, И. А. Гармаш^c, В. М. Геликонов^d, Г. В. Геликонов^d, А. В. Любарский^ab, А. Г. Плявенек^ba, С. А. Сафин^c, А. Т. Семенов^c, В. Р. Шидловский^c, М. В. Шраменко^ab, С. Д. Якубович^a

^a Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики
^b Всероссийский научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, г. Москва
^c ООО "Суперлюминесцентные диоды", г. Москва
^d Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведено теоретическое и экспериментальное исследование мощностных, спектральных и поляризационных характеристик суперлюминесцентных диодов (СЛД) на основе (GaAl)As-гетероструктур с раздельным ограничением и квантоворазмерным активным слоем. Показано, что такие излучатели не уступают СЛД на основе традиционных двусторонних гетероструктур по основным техническим характеристикам и значительно превосходят их по ширине спектра излучения, достигающего полуширины порядка 100 нм, что соответствует длине когерентности менее 7 мкм. Изготовлены образцы светоизлучающих модулей на основе исследованных СЛД.

PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb

Поступила в редакцию: 01.01.1996