RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 10, страницы 2099–2102 (Mi qe6070)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Краткие сообщения

Улучшение характеристик полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком на основе монокристаллов ZnSe

И. В. Акимова, А. В. Дуденкова, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. С. Насибов, П. В. Резников, Е. М. Тишина, П. В. Шапкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследован спектр катодолюминесценции в диапазоне 400–800 нм и измерен внутренний квантовый выход излучения η при T = 77 K монокристаллов ZnSe, выращенных из газовой и жидкой фаз. Обнаружена корреляция между η и интенсивностью линии свободного экситона и отсутствие корреляции между η и другими линиями люминесценции. Сравнительный анализ спектров фотолюминесценции при 4,2 K образцов селенида цинка, отожженных в цинке и селене, с исходными образцами позволил установить, что насыщение образцов цинком увеличивает η и улучшает лазерные характеристики.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 78.55.Ds, 78.60.Hk, 81.40.Tv

Поступила в редакцию: 17.02.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:10, 1366–1368

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024