RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 11, страницы 2140–2150 (Mi qe6081)

Анализ факторов, влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на основе Pb1–xSnxSe

Л. П. Бычкова, О. И. Даварашвили, П. Г. Елисеев, М. И. Сагинури, Р. И. Чиковани, А. П. Шотов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрены факторы, влияющие на пороговый ток в инжекционных лазерах на основе гетеропереходов PbSe/Pb1–xSnxSe, включая волноводную структуру, электронное ограничение, неравномерность коэффициента усиления по толщине, безызлучательную рекомбинацию на гетерограницах и в объеме, температуру. Указаны условия, при которых возникают аномалии температурной зависимости порогового тока вследствие влияния свободных носителей на показатель преломления. Соответствие с экспериментальными значениями пороговой плотности тока получено при скорости поверхностной рекомбинации ~2×105 см/с и внутреннем квантовом выходе ≤ 0.1.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 06.09.1981
Исправленный вариант: 16.11.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:11, 1391–1397

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024