RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 11, страницы 2151–2155 (Mi qe6083)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Исследование ВКР излучения эксимерных лазеров на электронных переходах атомов металлов

В. С. Верховский, В. М. Климкин, В. Е. Прокопьев, В. Ф. Тарасенко, В. Г. Соковиков, А. И. Федоров

Институт оптики атмосферы СО АН СССР, Томск

Аннотация: Экспериментально исследовано ВКР излучения эксимерных лазеров в парах бария, тулия, европия. Энергия преобразования излучения XeF*-лазера (λ = 351 нм) в желтую область (585 нм) в парах бария составила 6 мДж при КПД ~39 %. Спектральный состав преобразованного излучения определяется ВКР, четырехволновыми параметрическими процессами, а также генерацией на собственном переходе бария. Для концентрации преобразованного излучения на одной частоте и уменьшения его расходимости необходима селекция частот накачки. Реализовано ВКР излучения ХеСl*-лазера (λ = 308 нм) в парах тулия с λ = 422 нм. В парах европия при квазирезонансе с запрещенным переходом 6s2 8S 01/2–5d2 10P011/2 получено индуцированное излучение на его собственных переходах 5d2 10P011/2–6s 6p10P11/2, 5d2 10P011/2–6s 6p10P9/2.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.65.Cq, 51.70.+f

Поступила в редакцию: 16.11.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:11, 1397–1400

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024