RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 3, страницы 647–650 (Mi qe6089)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Влияние безызлучательной релаксации на уровнях лазерного перехода ионов Nd$^{3+}$ в стекле на усиление мощных наносекундных импульсов

В. В. Иванов, Ю. В. Сенатский, Г. В. Склизков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Показано, что быстрая термализация со временем $\tau_T\lesssim1$ пс по штарковским компонентам уровней рабочего перехода 1,06 мкм ионов Nd$^{3+}$ в стекле обусловливает высокую эффективность усиления импульсов длительностью 1–100 нс в мощных неодимовых лазерных системах.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.65.Re, 42.60.Jf, 42.70.Hj, 42.70.Ce

Поступила в редакцию: 02.07.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:3, 422–424

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024