RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 2, страницы 248–258 (Mi qe6098)

О возможности получения инверсии в УФ области при оптической накачке

Н. Г. Басов, Г. А. Вергунова, В. Б. Розанов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Изучается возможность получения инверсии на переходе 1s2p3P→1s2 в Не-подобных ионах элементов с z = 6–15. Ионы в верхнем состоянии 1s2p3P накапливаются при оптической накачке рабочей среды, содержащей Li-подобные ионы, излучением лазерной плазмы с дальнейшим самопроизвольным переходом в основное состояние. Длина волны перехода составляет 0,6–4,1 нм, коэффициент усиления 10–2 см–1. Исследуется возможность увеличения коэффициента усиления путем сжатия активной среды.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 32.80.Bx, 32.80.Fb

Поступила в редакцию: 18.07.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:2, 161–168

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024