С. А. Ахманов, И. А. Бегишев, А. А. Гуламов, Е. А. Ерофеев, Б. В. Жданов, В. И. Кузнецов, Л. Н. Рашкович, Т. Б. Усманов, “Высокоэффективное параметрическое преобразование частоты света в широкоапертурных кристаллах, выращенных методом скоростного роста”, Квантовая электроника, 11:9 (1984), 1701

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Письма в редакцию

Высокоэффективное параметрическое преобразование частоты света в широкоапертурных кристаллах, выращенных методом скоростного роста

С. А. Ахманов^ab, И. А. Бегишев^ab, А. А. Гуламов^ab, Е. А. Ерофеев^ab, Б. В. Жданов^ab, В. И. Кузнецов^ab, Л. Н. Рашкович^ab, Т. Б. Усманов^ab

^a Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
^b Институт электроники им. У. А. Арифова АН УзССР, Ташкент

Аннотация: Сообщается о создании высокоэффективного параметрического генератора света ближнего ИК диапазона с выходной энергией в несколько джоулей при накачке несфокусированным гипергауссовым пучком неодимового лазера кристаллов ADP, выращенных новым методом скоростного роста.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.65.Ky, 42.65.Yj, 42.70.Mp, 42.55.Rz, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 29.05.1984