О возможности создания химического лазера на электронном переходе B→X молекул IF

Предложена модель химической накачки электронного состояния B³П_0⁺ молекул IF в смеси F–H₂–NF₂– IF. На основе этой модели проведены численные расчеты кинетики протекания реакции. Показано, что на переходе B→X молекул IF достигаются высокие коэффициенты усиления слабого сигнала, достаточные для получения генерации. Определены процессы, ограничивающие скорость накачки верхнего лазерного уровня. Предложены методы устранения этих ограничений.