aИнститут радиофизики и электроники АН Арм. ССР, Аштарак bФизический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Получено аналитическое выражение для порога генерации полупроводникового лазера на основе пятислойной структуры с раздельным электронным и оптическим ограничениями. Проведен анализ зависимости порога от толщин активной и волноводной областей, а также от диэлектрических проницаемостей соответствующих слоев.