RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 9, страницы 1885–1887 (Mi qe6213)

Краткие сообщения

Полупроводниковый лазер на переходах между уровнями размерного квантования с раздельными электронным и оптическим ограничениями

Ал. Г. Алексанянab, А. Г. Алексанянab, Г. Э. Мирзабекянab, Ю. М. Поповab

a Институт радиофизики и электроники АН Арм. ССР, Аштарак
b Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Получено аналитическое выражение для порога генерации полупроводникового лазера на основе пятислойной структуры с раздельным электронным и оптическим ограничениями. Проведен анализ зависимости порога от толщин активной и волноводной областей, а также от диэлектрических проницаемостей соответствующих слоев.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.55.Ah

Поступила в редакцию: 10.05.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:9, 1268–1269

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024