RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 4, страницы 712–723 (Mi qe6219)

Особенности формирования сигнального импульса в поле короткого мощного импульса накачки при двойном резонансе в схеме с общим верхним уровнем

А. Е. Дмитриев, О. М. Паршков

Саратовский политехнический институт

Аннотация: Теоретически исследован существенно нестационарный режим двойного резонанса, возбуждаемый по схеме с общим верхним уровнем в поле 2π-импульса накачки и постоянного сигнального излучения малой интенсивности. Получены условия формирования экспоненциально усиливающегося сигнального импульса асимптотически постоянной формы, движущегося со скоростью импульса накачки. Исследована связь параметров сигнального импульса с параметрами среды и накачки. Обнаружено, что конкуренция локальной и волновой нестационарностей обусловливает появление зависящей от расстроек резонанса в каналах оптимальной энергии импульса накачки, превышение которой снижает энергию выходного сигнального импульса. Установлено, что в случае неравенства начальных расстроек формирование сигнального импульса сопровождается затягиванием сигнальной частоты к значению, удовлетворяющему условию равенства расстроек. На ранних стадиях формирования сигнального импульса это приводит к разбиению его на цуг субимпульсов, более коротких, чем импульс накачки.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.65.Ky, 42.65.Dr, 32.80.Bx, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 02.01.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:4, 464–471

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024