RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 2, страницы 432–433 (Mi qe6251)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Генерация на переходах димеров теллура при оптической накачке излучением рекомбинационного He–Sr-лазера

С. Н. Атамась, Ю. В. Коптев, Е. Л. Латуш

Ростовский государственный университет им. М. А. Суслова

Аннотация: Получена генерация на 14 длинах волн в желто-красной области спектра на электронных переходах молекулы Te2 при оптической накачке паров теллура излучением He–Sr-рекомбинационного лазера (λ = 430,5 нм). Установлено, что наиболее сильные линии генерации соответствуют переходу BOu+ (ν' = 1–4) →XOg+ (ν'' = 36–38) молекул 128Te2 или 130Te 126Te.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 06.06.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:2, 288–289

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024