RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 12, страницы 2398–2402 (Mi qe6283)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Генерация перестраиваемого ИК излучения на основе электронного ВКР в парах цезия

B. Ш. Эпштейн, В. П. Тимофеев, Г. М. Гусев, А. К. Попов

Институт физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР, Красноярск

Аннотация: Приводятся результаты экспериментального исследования характеристик источника перестраиваемого ИК излучения на парах цезия. Получены зависимости области перестройки и интенсивности ИК излучения от интенсивности накачки и ее спектральной ширины.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.60.By, 42.55.Hq, 42.65.Cq, 51.70.+f

Поступила в редакцию: 25.06.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:12, 1565–1567

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024