Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства p–n-структур на основе InP, AlSb, GaP

Исследованы МОП-структуры на основе n- и p-InP и МДП-структуры на основе n-InP и n-GaP. Оценены их некоторые параметры: коэффициент идеальности, высота барьера, плотность зарядов, толщина окисла, напряженность электрического поля и др. Показано, что в структурах Au–n-InР при оптимальной толщине окисного слоя ~2,2–2,3 нм КПД увеличивается на 5–6 % по сравнению с обычными структурами на основе InP. На p-lnP и n-AlSb структурах получен КПД ~10–14 %.