RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 3, страницы 563–570 (Mi qe6335)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Фотоиндуцированное рассеяние света в кристаллах с нелокальным откликом

В. В. Обуховский, А. В. Стоянов

Киевский госуниверситет им. Т. Г. Шевченко

Аннотация: Развита теория рэлеевского рассеяния света в фоторефрактивных средах типа SBN (с диффузионным механизмом формирования оптических неоднородностей). Фотоиндуцированный рост интенсивности рассеяния рассматривается как следствие самопроизвольной записи в неоднородном кристалле шумовых фазовых голограмм. Найдены угловая структура и временная зависимость интенсивности такого рассеяния. Показано, что вследствие голографических эффектов индикатриса рассеяния может принимать существенно асимметричную форму. Проведенные для кристалла SBN теоретические расчеты хорошо согласуются с экспериментальными результатами.

УДК: 535.36+535.21:537.226

PACS: 42.40.Ht, 42.70.Gi, 42.70.Ln

Поступила в редакцию: 20.04.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:3, 367–371

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024