RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 3, страницы 634–636 (Mi qe6348)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

О возможности создания лазера с солнечной накачкой на кристаллах с центрами окраски

В. М. Батенин, А. Л. Голгер, И. И. Климовский

Институт высоких температур АН СССР, Москва

Аннотация: Рассматривается возможность создания непрерывного лазера с солнечной накачкой, активная среда которого представляет собой кристалл с центрами окраски, выполненный в виде световода. Анализ предлагаемой лазерной схемы показывает, что при кратности концентратора солнечного излучения ξ = 102 коэффициент усиления на рабочем переходе будет ~10–3 см–1, КПД ~1–6% и выходная мощность ~10–60 Вт с 1 м активной среды лазера.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 05.09.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:3, 382–383

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024