Т. П. Балакирева, Ч. М. Брискина, Е. В. Васильев, В. В. Вакулюк, В. Ф. Золин, А. А. Майер, В. М. Маркушев, В. А. Мурашов, М. В. Провоторов, “Люминесценция и стимулированное излучение монокристаллов BaGd2–xNdx(MoO4)4”, Квантовая электроника, 8:3 (1981), 656

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Краткие сообщения

Люминесценция и стимулированное излучение монокристаллов BaGd_2–xNd_x(MoO₄)₄

Т. П. Балакирева^abc, Ч. М. Брискина^abc, Е. В. Васильев^acb, В. В. Вакулюк^abc, В. Ф. Золин^abc, А. А. Майер^abc, В. М. Маркушев^abc, В. А. Мурашов^abc, М. В. Провоторов^abc

^a Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва
^b Московский химико-технологический институт им. Д. И. Менделеева
^c Московский институт радиотехники, электроники и автоматики

Аннотация: Для кристаллов BaGd_2–xNd_x(MoO₄)₄ определена штарковская структура уровней ⁴F_3/2, ⁴I_11/2 и ⁴I_9/2 Nd³⁺, исследовано концентрационное тушение люминесценции Nd³⁺, показано, что оно имеет кросс-релаксационный характер. Получены оценки параметров Офельта, измерено молярное поглощение в области возможной накачки Nd³⁺. Измерено эффективное сечение стимулированного излучения для наиболее интенсивной компоненты перехода ⁴F_3/2→⁴I_11/2 (λ = 1061нм). При x = 0,15 получено стимулированное излучение на образце монокристалла толщиной 1,2 мм с накачкой от импульсной лампы.

УДК: 535.37

PACS: 42.55.Rz, 78.55.Hx, 78.45.+h

Поступила в редакцию: 07.08.1980