А. М. Бакиев, Ю. В. Вандышев, В. С. Днепровский, А. И. Фуртичев, “Быстродействующий полупроводниковый бистабильный элемент”, Квантовая электроника, 12:3 (1985), 652

Краткие сообщения

Быстродействующий полупроводниковый бистабильный элемент

А. М. Бакиев, Ю. В. Вандышев, В. С. Днепровский, А. И. Фуртичев

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Создан полупроводниковый бистабильный элемент из слоистого кристалла GaSe, имеющий времена переключения, не превышающие 2 ·10 ^–11 с. Малое время восстановления (выключения) бистабильного элемента, по-видимому, связано со стимулированным процессом рекомбинации в сильно возбужденном полупроводнике.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.65.Pc, 42.79.-e

Поступила в редакцию: 16.07.1984