RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 10, страницы 1992–2000 (Mi qe6402)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Генерация и усиление излучения при ВКР в кристаллах

С. Н. Карпухин, В. Е. Яшин


Аннотация: Экспериментально исследована генерация стоксова излучения в сфокусированных пучках при ВКР в кристаллах кальцита и нитрата бария. При встречном ВКР получена высокая эффективность преобразования энергии накачки в энергию стоксова излучения (~0,8) и показано, что она обусловлена четырехфотонными параметрическими процессами. Измерено качество обращения волнового фронта для пространственно-однородных и неоднородных пучков в широком диапазоне изменения энергии и расходимости накачки, а также фокусного расстояния линзы. Осуществлено дальнейшее усиление излучения в ВКР-усилителе на нитрате бария, работающем в режиме усреднения. При насыщении получена эффективность преобразования энергии накачки в энергию стоксова излучения ~0,8, а при слабом входном сигнале – усиление ~1,3 · 103.

УДК: 535.375

PACS: 42.65.Dr, 42.65.Ky, 42.65.Yj

Поступила в редакцию: 10.11.1983


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:10, 1337–1342

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024