RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 1, страницы 113–121 (Mi qe6426)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Фотоиндуцированное рассеяние света на флуктуациях фотоэлектрических параметров среды

В. В. Обуховский, А. В. Стоянов, В. В. Лемешко

Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко

Аннотация: Исследовано рассеяние света в фоторефрактивных средах. Показано, что основными причинами сильного фотоиндуцированного рассеяния света (ФИPC) являются мелкомасштабные (порядка длины световой волны) пространственные флуктуации фотогальванического коэффициента и параметров электропроводности и самопроизвольно образующиеся шумовые фазовые голограммы. Экспериментально установлено, что в кристаллах LiNbO3:Fe ведущую роль играют неоднородности электропроводности фотогальванического происхождения. Предложена простая модель таких неоднородностей, в рамках которой хорошо описываются особенности стационарной индикатрисы ФИРС при различных поляризациях накачки и рассеянного излучения.

УДК: 535.36:535.21:778

PACS: 78.20.Ci, 78.20.Bh, 72.40.+w, 42.70.Nq, 05.40.Ca

Поступила в редакцию: 09.12.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:1, 64–68

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024