RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 5, страницы 602–606 (Mi qe6488)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Нелинейная оптика

Особенности ГВГ в пластинах GaAs

В. Ф. Краснов, В. И. Проць, А. М. Рубенчик, С. Г. Струц, М. Ф. Ступак


Аннотация: Экспериментально исследована ГВГ при отражении от GaAs среза (111) и GaAs среза (100). Выявлено, что для пластин с полированными поверхностями значителен вклад в нелинейно-оптический сигнал, обусловленный переотражением от тыльной поверхности излучения ИAГ:Nd-лазера. Указаны преимущества диагностики кристаллического состояния по ГВГ на просвет.

УДК: 621.373.826+535.317

PACS: 42.65.Ky, 42.55.Rz, 42.60.Jf, 78.68.+m

Поступила в редакцию: 21.03.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:5, 532–536

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024