RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 4, страницы 833–836 (Mi qe6542)

Краткие сообщения

Стационарное параметрическое усиление расплывающихся световых импульсов в условиях групповой расстройки

В. Василяускас, Ф. Иванаускас, А. Стабинис

Вильнюсский государственный университет им. В. Капсукаса

Аннотация: Теоретически исследовано параметрическое усиление световых импульсов в нелинейных кристаллах в условиях групповой расстройки и дисперсионного расплывания. Показано, что дисперсионное расплывание сильно влияет на усиление. По мере увеличения роли дисперсионного расплывания насыщение усиления, вызванное групповой расстройкой, постепенно исчезает и возникает стационарный режим усиления, в условиях которого форма огибающей, длительность, положение вершины сигнального импульса не зависят от длины кристалла, а интенсивность растет экспоненциально с расстоянием.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.65.Yj, 42.65.Re, 42.50.Gy, 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 03.05.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:4, 541–543

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024