RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 6, страницы 511–514 (Mi qe6573)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Лазеры

Непрерывная генерация лазера на кристалле YAlO3:Tm3+ при диодной накачке

Н. И. Бородинa, П. В. Крюковa, А. В. Поповb, С. Н. Ушаковb, А. В. Шестаковa

a НПЦ "Элементы лазерных систем", г. Москва
b Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Исследованы генерационные характеристики лазера на кристалле YAlO3:Tm3+ при диодной накачке в спектральной области 802–810 нм. Выходная мощность в непрерывном режиме генерации превышала 10 Вт при полном КПД более 30%. Длина волны лазерного излучения изменяется в диапазоне 1946–1985 нм и определяется мощностью накачки и потерями резонатора в этой спектральной области. Определена эффективность кросс-релаксационного процесса при создании населенности лазерного уровня 3F4.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 22.03.2005


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2005, 35:6, 511–514

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024