RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 1, страницы 164–167 (Mi qe6627)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Влияние ширины спектральной линии на возбуждение вынужденного рассеяния в резонаторах

Б. А. Аканаев, И. М. Бельдюгин, В. Б. Герасимов


Аннотация: Исследовано влияние ширины линии накачки на процесс вынужденного рассеяния в резонаторах (Фабри–Перо и кольцевом резонаторе), обладающих резонансными свойствами одновременно на частоте накачки и на частоте стоксовой компоненты. Показано, что порог возбуждения вынужденного рассеяния в бездисперсионных средах не зависит от ширины линии накачки, что объясняется параметрическим взаимодействием между модами, а в средах со значительной дисперсией в Δωн/Δωскр больше порога генерации для монохроматической накачки (индексы «н» и «скр» относятся к накачке и спонтанному комбинационному рассеянию). Приводятся аналитические выражения для амплитуд полей накачки и стоксова излучения на пороге возбуждения и в установившемся режиме.

УДК: 621.375.931

PACS: 42.60.Jf, 42.60.Da, 42.60.Fc

Поступила в редакцию: 13.04.1973


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, 4:1, 95–96


© МИАН, 2024