RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 1, страницы 178–180 (Mi qe6632)

Краткие сообщения

Параметры лазеров на AlxGa1–xAs с электронной накачкой в видимой области спектра

Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, И. В. Крюкова, Ю. В. Петрушенко, Б. М. Степанов


Аннотация: Сообщается о получении стимулированного излучения на твердом растворе AlxGa1–xAs при возбуждении электронным лучом с энергией 50 кэВ, длительностью 100 нс и частотой 50 Гц. Приводятся данные о пороговой плотности тока, мощности и к. п. д. лазеров для 0 < x ≤ 0,3 при 81 K.

УДК: 621.378.333

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 78.55.Cr, 78.66.Fd, 78.45.+h

Поступила в редакцию: 19.09.1972
Исправленный вариант: 07.05.1973


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, 4:1, 104–105


© МИАН, 2024