Расчет источника накачки оптического квантового генератора с селективным отражением

Показано, что нанесенные на лампу селективно отражающие покрытия приводят к эффективному поглощению побочного излучения в плазме с последующим переизлучением, в том числе и в полосах пропускания фильтра, что ведет к росту к. п. д. Найдено, что для разряда в ксеноне при коэффициенте отражения вне полос поглощения алюмо-иттриевого граната с неодимом, составляющем ~0,9, к. п. д. источника накачки в оптимальных условиях возрастает в 2–3 раза, а при использовании рубина – в 1,5–2 раза. Лучшие результаты достигаются для достаточно оптически плотного импульсного разряда, для которого применение селективных наполнений становится неэффективным.