RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 6, страницы 753–755 (Mi qe6679)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Формирование усиленного спонтанного излучения в разлетающейся лазерной плазме с учетом рефракции

А. В. Гулов, В. И. Держиев, А. Г. Жидков, А. О. Терских, С. И. Яковленко

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Рассчитана расходимость усиленного спонтанного излучения в лазерной плазме с учетом рефракции на свободных электронах. Проанализирована расходимость излучения на переходе 3p→3s' Ne-подобных ионов. Рассчитана расходимость излучения на переходе 4→3 иона OVIII с учетом рефракции в ходе разлета плазмы формвара.

УДК: 621.373.826:533.9

PACS: 52.50.Jm, 42.50.Fx, 42.65.Re, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 19.04.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:6, 675–677

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024