RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 4, страницы 359–362 (Mi qe669)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Прецизионные измерения длин волн линий 1snp1P1 – 1s2 1S0 (n = 6 – 12) Al XII в спектрах излучения лазерной плазмы и плазмы Х-пинча

А. Остерхельдa, А. И. Магуновbc, В. М. Дякинbc, А. Я. Фаеновbc, Т. А. Пикузbc, И. Ю. Скобелевbc, Т. Писарчикd, П. Парисd, Я. Воловскиd, И. Маковскийd, С. А. Пикузe, В. М. Романоваe, Т. А. Шелковенкоe

a Lawrence Livermore National Laboratory, USA
b Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, п. Менделеево, Московская обл.
c Центр данных по спектрам многозарядных ионов, п. Менделеево, Московская обл.
d Institute of Plasma Physics and Laser Microfusion, Warsaw, Poland
e Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Спектры излучения высокотемпературной рекомбинирующей лазерной плазмы и плазмы Х-пинча использовались для измерения с высокой точностью ±(0.03 – 0.05) пм длин волн спектральных линий 1snp1P1 — 1s2 1S0 (n = 6– 12) переходов в AlXII. Впервые наблюдались линии переходов с уровней 1s11p и 1s12p He-подобного иона AlXII. Найденные экспериментальные данные сопоставляются с результатами расчетов, полученных различными теоретическими методами.

PACS: 52.25.Nr, 52.70.La

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:4, 351–354

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024