Поглощение лазерного излучения в поверхностном слое прозрачного диэлектрика

Теоретически рассмотрено влияние эффекта лавинного размножения электронов в интенсивном поле оптической частоты в приповерхностном слое прозрачного диэлектрика на процесс поверхностного поглощения энергии лазерного моноимпульса. Получено, что в режиме холодного разрушения поверхности лазерным моноимпульсом (без плавления и образования плазмы на входном торце) определяющую роль в процессе поверхностного поглощения играет механизм лавинного размножения электронов. Показано, что толщина нагретой области для импульсов с плотностью мощности ~5·10⁸ Вт/см² и длительностью ~30 нс составляет ~1 мкм. Доля поглощенной энергии в указанном режиме достигает 1%.