RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 2, страницы 401–407 (Mi qe6701)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Особенности вынужденного комбинационного рассеяния при наличии пространственного вырождения уровней

Ю. А. Ильинский, В. Д. Таранухин


Аннотация: Рассмотрены особенности вынужденного комбинационного рассеяния (ВКР) в газах при учете пространственного вырождения уровней. Учтены эффекты насыщения разности населенностей и влияние излучения на антистоксовой частоте. Проанализированы случаи различных поляризаций полей накачки, стоксова и антистоксова излучения. Показано, что форма линии ВКР представляет собой сумму в общем случае трех лоренцевых линий, а рассеяние содержит скалярную, симметричную и антисимметричную компоненты. Использование накачки с круговой поляризацией снимает вопрос о влиянии антистоксова излучения на коэффициент усиления стоксовой волны.

УДК: 621.378.33

PACS: 51.70.+f, 42.65.Dr

Поступила в редакцию: 12.10.1973


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, 4:2, 224–227


© МИАН, 2024