Влияние дефектов структуры кристаллов на излучательную рекомбинацию арсенида галлия

В результате уменьшения дефектов структуры за счет изменения условий роста кристаллов GaAs из расплава получено увеличение в 100 раз квантового выхода излучательной рекомбинации и значительное улучшение параметров лазеров с электронным возбуждением. Оценка наличия дефектов структуры осуществлялась путем измерения плотности кристаллов методом прецизионного взвешивания. На основании зависимости спектров фотолюминесценции от плотности высказано предположение, что полоса излучения с энергией ~ 1,35 эВ связана с вакансиями мышьяка.