RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 5, страницы 393–398 (Mi qe679)

Лазеры

Рентгеновский лазер с высоким коэффициентом усиления на Ni-подобных ионах с накачкой двумя лазерными импульсами

А. Баерa, Ж. Л. Швобa, А. Циглерa, Ш. Элиэзерb, З. Хенисb

a Racah Institute of Physics, Hebrew University, Israel
b Plasma Physics Group, Soreq Nuclear Research Centre, Yavne, Israel

Аннотация: Предложена схема накачки рентгеновского лазера на никелеподобных ионах, обеспечивающая повышенный коэффициент усиления на традиционном (3p63d94d → 3p63d94p) и новом (3p53d104p → 3p53d104s) рабочих переходах, а также на возможном переходе 3d → 3p (3p53d104p → 3p63d94p) между внутренними оболочками, длина волны которого попадает в область «водяного окна» прозрачности атмосферы. Рассчитанные коэффициенты усиления для тантала и вольфрама находятся в хорошем соответствии с экспериментальными результатами, полученными для перехода 4d → 4p. Предполагается, что с помощью этой схемы удастся получить лазерный эффект на переходе между внутренними оболочками в материалах с относительно низкой зарядностью (таких как цезий). Показано также, что применение нетепловой электронной накачки (обеспечиваемой вторым лазерным импульсом) приводит к повышению коэффициента усиления.

PACS: 42.55.Vc, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:5, 383–388

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024