Влияние быстрой неизотермичности носителей заряда на автомодуляцию двухкомпонентных гетеролазеров

Рассмотрен автомодуляционный режим излучения двухкомпонентных гетеролазеров с учетом отрыва электронной температуры от температуры кристаллической решетки. Показано, что пульсации интенсивности излучения вызывают пульсации электронной температуры, которые в свою очередь сглаживают автомодуляционную неустойчивость. Неизотермичность носителей оказывает влияние на форму световых пичков, что наиболее ярко проявляется в затягивании спада импульса.