RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 4, страницы 820–824 (Mi qe6860)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Оптическая запись периодических структур в фотополимерных слоях

Ю. Б. Бойко, Е. А. Тихонов

Институт физики АН УССР, Киев

Аннотация: Определены оптимальные условия записи тонких фазовых решеток в фотополимерах (ФПМ) на основе олигоуретанакрилатов. Существенное повышение дифракционной эффективности получено благодаря выбору дозы первичной экспозиции. На основании представленного экспериментального материала развиты представления о существовании двух процессов, происходящих при записи периодической структуры в фотополимере, – диффузии инициатора в область ФПМ, совпадающей с максимумами интерференционного поля, и преимущественного роста радикальных цепей в направлении областей ФПМ, совпадающих с минимумами поля.

УДК: 621.378.001

PACS: 42.30.Nt

Поступила в редакцию: 11.08.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:4, 492–495

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024