RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 4, страницы 853–859 (Mi qe6869)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Бистабильный режим и спектральная перестройка в инжекционном лазере с внешним дисперсионным резонатором

В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, М. С. Соскин, В. Б. Тараненко, К. А. Хайретдинов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Изучен режим спектральной перестройки лазера на основе AlGaAs–GaAs с внешним дисперсионным резонатором, работающего в одночастотном режиме генерации. Показано, что зависимость выходной мощности от длины волны имеет вид петли гистерезиса, т. е. имеет место бистабильный режим генерации. Такое поведение лазера связано с наличием составного резонатора, включающего собственный резонатор лазерного диода дополнительно к внешнему дисперсионному резонатору. Показатель преломления полупроводниковой среды диода зависит от уровня инверсии. Это обстоятельство обусловливает оптическую нелинейность среды активной области диода, так как уровень инверсии зависит от интенсивности излучения. В результате оптическая схема лазера становится аналогичной хорошо известным оптическим бистабильным системам, включающим интерферометр Фабри–Перо с оптической нелинейностью.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 13.08.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:4, 510–513

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024