Оптимизация условий съема запасенной энергии в режиме модулированной добротности для активных элементов ГСГГ:Cr, Nd

Показано, что 2,5-кратный выигрыш в КПД лазера на кристалле ГСГГ:Cr, Nd по сравнению с лазером на кристалле AИГ:Nd в случае плоского резонатора сохраняется до средних мощностей накачки ~500 Вт. Эффективный энергосъем запасенной кристаллом ГСГГ:Cr, Nd энергии в режиме формирования гигантского импульса осуществляется при сокращении длительности накачки до 100 мкс и уменьшении задержки импульса открывания электрооптического затвора до 60–75 мкс.