RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 4, страницы 880–882 (Mi qe6877)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Бистабильный инжекционный гетеролазер непрерывного действия

И. С. Голдобин, В. Д. Курносов, В. Н. Лукьянов, Г. Т. Пак, А. Т. Семенов, Н. В. Шелков, С. Д. Якубович, И. В. Яшумов

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений

Аннотация: Экспериментально показано, что гетеролазерам на основе GaAlAs, подобно гомолазерам на основе арсенида галлия, присущ при неоднородной инжекции бистабильный режим работы. Ширина петли гистерезиса на ватт-амперной характеристике лазера, определяющая область существования бистабильного режима, достигает 20 мА. Зарегистрированы переходные процессы скачкообразного переключения лазера.

УДК: 621.373.826.038.824.4

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 15.09.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:4, 526–527

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024