П. Г. Елисеев, Фам Ван Хой, “Изучение перфорации тонкопленочной фиксирующей среды остросфокусированным излучением GaAlAs/GaAs-лазера”, Квантовая электроника, 13:6 (1986), 1261

Краткие сообщения

Изучение перфорации тонкопленочной фиксирующей среды остросфокусированным излучением GaAlAs/GaAs-лазера

П. Г. Елисеев, Фам Ван Хой

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Проведено изучение записи информации с помощью перфорации тонкопленочной среды (слоев Те и Ag на подложке из оргстекла) излучением инжекционных лазеров на длине волны в диапазоне 830–880 нм. Получены сквозные метки субмикронных размеров (0,5 мкм² и выше), что соответствует аудиодисковому уровню плотности записи.

УДК: 621.373.826.038.825.4:535.41

PACS: 42.70.Ln, 42.79.Wc, 42.62.-b, 42.55.Px

Поступила в редакцию: 19.11.1985