RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1045–1049 (Mi qe6932)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Влияние центров окраски на энергетические характеристики кристаллов YAG:Nd3+

Н. С. Ковалева, В. Г. Котельникова, В. X. Ягмуров


Аннотация: Измерены спектры поглощения и энергии излучения радиационно-окрашенных кристаллов YAG:Nd3+. Получены экспериментальная и упрощенная теоретическая зависимости между изменением энергии и поглощением наведенных центров окраски (ЦО). Рассчитанное по данным спектральных измерений изменение энергии излучения оказалось значительно меньше полученного в эксперименте. Показано, что в радиационно- окрашенных кристаллах YAG:Nd3+ под действием накачки образуются короткоживущие ЦО, которые наряду со стабильными ЦО существенно снижают энергию излучения.

УДК: 535.34:621.378

PACS: 42.55.Rz, 61.70.Dx, 61.80.Ed

Поступила в редакцию: 05.09.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:5, 622–624

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024