RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1073–1078 (Mi qe6944)

Влияние адгезии на процессы лазерного нагревания и разрушения тонких поглощающих пленок

Е. Б. Яковлев

Ленинградский институт точной механики и оптики

Аннотация: Предложен феноменологический подход к учету влияния адгезии на темп нагревания тонких пленок при лазерном облучении. Показано, что величина адгезии определяет механизм разрушения тонких пленок в режиме порога развитого разрушения (ПРР). Определены условия, при которых механизм разрушения тонких пленок скатыванием расплава является основным в режиме ПРР.

УДК: 539.216.22

PACS: 61.80.-x, 68.60.+q, 42.60.He

Поступила в редакцию: 24.09.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:5, 637–640

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024