Всесоюзный научно-исследовательский институт метрологической службы, Москва
Аннотация:
Экспериментально исследована возможность управления и пространственного сканирования излучения инжекционных источников света с помощью электронного луча с энергией 4–10 кэВ. Активным элементом являлась структура светодиода на основе Ga1–xAlxAs, при этом между одним из металлических контактов и полупроводниковой структурой находился запорный слой.